近年来,Ga N基发光二极管（LED）的发展异常迅速,以玻璃为衬底的LED具有成本低、可大面积化生产等优点而引起了国内外许多科研机构的广泛研究兴趣。但由于普通玻璃较低的软化温度（500~600℃）以及与Ga N之间存在较大的晶格失配问题,一直阻碍其发展。重点综述了玻璃衬底上生长Ga N薄膜的方法以及改善外延层晶体质量的技术。分别介绍了两种在普通...
采用单片微波集成电路（MMIC）芯片技术和多芯片组件（MCM）微组装工艺,设计了一款小尺寸双通道发射接收（T/R）组件。组件由环形器、限幅器芯片、低噪声放大器（LNA）芯片、幅相控制多功能芯片、驱动放大器芯片和功率放大器芯片（PA）等部分构成。基于Ga As的LNA MMIC芯片具有更低噪声系数,基于Ga N的PA MMIC芯片具有更高的输出功率及功率附加...
空间近日等强辐照造成的高温严重影响光伏电池的转化效率,同时造成辐射能量的浪费。以单晶Si光伏电池和Bi2Te3热电电池为基本单元,构建Si-Bi2Te3光热耦合电源器件模型。采用有限元分析法分析特定辐射条件下Si-Bi2Te3光热耦合电源器件的热分布情况,并结合光伏电池与热电电池的温度特性进一步计算了器件的转化效率。结果显示,Bi2Te3热电池的存在一...
建立了差分互补型电感电容压控振荡器（LC-VCO）的等效分析模型。采用有效截止频率fT,eff来表征MOS管的充放电能力,结合振荡器起振后共模输出电压下降的现象,提出了优化1/f3相位噪声的方法。采用该方法并结合跨导效率gm/ID设计方法,实现了LC-VCO 1/f3相位噪声的优化,并在0.18μm CMOS工艺上获得验证。结果表明,该优化方法可以使频偏在1 k Hz以内...
发光二极管（LED）作为新一代光源,得到广泛应用。然而在工作过程中,大部分的电能会转变为热能,使LED的结温升高,可靠性降低。为了使LED芯片产生的热量能够及时有效地散发出去,通常采用翅片散热方法对其进行散热。采用数值模拟的方法对大功率LED针翅式散热器的散热性能进行了研究。为了验证模型的准确性,利用K型热电偶和安捷伦数据采集仪对散热...
采用不同温度对Au80Sn20共晶合金焊料进行烧结实验,研究了Au Sn焊料薄膜在烧结后的形貌、物相组成以及对封装激光器的性能影响等。焊料在烧结后形成ζ相Au5Sn和δ相Au Sn两种金属间化合物,随着烧结温度的上升,两相晶粒均明显长大,而ζ相Au5Sn趋向于形成枝晶。较低温度下烧结的焊料表面粗糙度较高,不利于激光器管芯的贴装。高温过烧焊料薄膜的导电导...
采用物理气相输运（PVT）法生长了直径为50 mm的K掺杂Cd S晶体,对掺杂和未掺杂的Cd S晶片进行显微观察、二次离子质谱（SIMS）成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K元素掺杂对Cd S晶体光学及电学性能的影响。生长时用KCl进行掺杂。显微观察显示,掺杂KCl后Cd S晶体的微观形貌没有明显变化;SIMS成分测试表明,晶体中引入的杂质主要是K...
利用多物理场耦合模拟软件研究了3英寸（1英寸=2.54 cm）碳化硅（Si C）单晶生长中感应线圈位置对单晶生长系统温度场的影响。分析了感应线圈位置变化对晶体表面径向温度、晶体内部轴向温度以及晶体生长界面形状的影响。同时分析了不同生长时期晶体的界面形状和各向温差的变化规律,建立了3英寸Si C单晶生长界面形状计算机模型,进而将计算机模拟...
基于光束感生电阻变化（OBIRCH）的热激光激发定位技术广泛应用于半导体器件的失效分析,特别是大规模集成电路的短路失效定位。详细介绍了OBIRCH技术在芯片背面失效定位时的原理和方法,通过精密研磨、抛光等先进制样手段对失效样品进行开封、芯片背面减薄。采用OBIRCH方法从芯片背面进行激光成像,成功对0.18μm工艺6层金属化布线的集成电路gg NMO...
随着晶片尺寸的不断增大,精准控制单片湿法腐蚀速率及非均匀性变得越来越具有挑战性。主要研究了300 mm单片湿法腐蚀工艺过程中,喷射稀释氢氟酸时卡盘的旋转速度和喷淋臂摆动方式对晶片表面腐蚀性的影响。结果表明,随着卡盘旋转速度的增大,腐蚀速率从1.02 nm/min线性提高到1.06 nm/min,腐蚀速率的非均匀性先是迅速降低,但当转速高于150 r/min后,...
针对高频射频识别（RFID）晶圆在中测（CP）阶段单通道串行测试效率低下的问题,设计了一种基于现场可编程门阵列（FPGA）的多通道并行测试系统以提高测试效率。鉴于RFID晶圆上没有集成天线,提出了一种新的基于探针技术的射频耦合式的晶圆检测方法,模拟芯片实际工作。系统选用FPGA为微控制器,配以多路射频耦合通信电路,实现测试向量生成及快速信...
码密度直方图法是模数转换器（ADC）静态参数测量的主要方法。该方法要求测试激励幅度略大于被测ADC的输入范围。测试激励幅度是影响测量结果精度的决定因素,受测量仪器精度的限制。针对如何定义测试激励幅度实现了＂略大于＂的问题,提出了一种判别测试激励幅度提高测量精度的方法。码密度直方图法要求采样频率与信号频率互质。码箱密度服从正态...
《微纳电子技术》（ISSN 1671-4776、CN 13-1314/TN、CODEN WJEIAB）是中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的科技期刊。《微纳电子技术》的前身是《半导体情报》,创刊于1964年。2002年为了顺应国内外纳米科技发展的大好形势,《半导体情报》完成了其历史使命,更名为《微纳电子技术》。《微纳电子技术》既考虑了微米...
一、会议组织机构 指导单位：中国半导体行业协会承办单位：中国半导体行业协会分立器件分会专用集成电路重点实验室中国电子科技集团公司第十三研究所协办单位：合肥锐拓科技信息服务有限公司《半导体技术》编辑部《微纳电子技术》编辑部厦门创新众人会议服务有限公司二、征文范围1.宽禁带（Ga N、SiC等）外延材料的结构设计、制备与检测技术;2...
投稿须知：我刊是中文核心期刊、中国科技核心期刊。本刊已加入国内外多家数据库：美国化学文摘《CA》、美国剑桥科学文摘《CSA》、美国乌利希国际期刊指南《Ulrich’s》、英国科学文摘《SA,INSPEC》、俄罗斯文摘杂志《AJ》、日本科学技术文献速报《CBST,JST》、清华同方数据库、中国期刊网、中国科学引文数据库、中国学术期刊综合评价数据库等...
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