介绍了等离子束表面冶金和激光熔覆技术的原理、特点和研究现状，分析比较了两种技术的工艺特点及涂层组织结构特点。由于等离子束表面冶金技术具有突出的优质高效低成本综合优势，且涂层原料来源广，在市场竞争中具有潜力。
回顾了目前内生颗粒增强铁基表面复合材料的研究概况,介绍了基体材料和增强体材料的选择、主要的制备方法及目前存在的问题.将传统的铸造工艺或激光等与自蔓延技术结合是制备该类材料比较可行的工艺方向.
氮化硅(Si3N4)因其优异的性能可能在钢铁表面的改性技术中获得重要应用,钢铁表面复合氮化硅层的生成和应用已成为当今材料科学研究开发的热点之一.综述了钢铁表面形成氮化硅薄膜的基本过程,各种制备方法、特点及影响因素.
根据热量传递的基本方式,分析了辐射加热与对流和传导加热的本质区别,对短波辐射波长提出了新的认识,在阐述辐射加热中辐射体与吸收体之间波长与能量的匹配吸收规律的同时,从理论和实际应用的角度多方面论述了超短波辐射能量的转换以及辐射效率的利用问题,并对短波辐射加热中功率密度与辐照密度的合理调整以及辐射场与温度场的均匀性问题作了深...
本发明涉及一种保护膜形成方法，该方法的步骤包括：首先，准备焊料薄板(步骤1)。焊料薄板由焊料层、粘着料层、起模纸组成。焊料层由焊料组成。然后，在焊料层层叠覆盖料层(步骤2)。覆盖料层由覆盖料粒子和粘合剂的混合物组成。作为覆盖料粒子，使用MCrAlY粒子和研磨粒子(立方晶氮化硼粒子等)。然后．干燥覆盖料层(步骤3)、截断焊料薄板(步骤4)...
本发明涉及到一种复合材料，其由涂覆有至少一层金刚石层的硬质合金-或金属陶瓷-基体构成。为了改善在细粒的硬质合金-或金属陶瓷-基体上金刚石层的附着性，建议硬质合金-或金属陶瓷-基体的碳含量为出现C-多孔性时的最大可能含量的89％～99％．优选为94％～99％，或者对于具有Co-粘合金属的硬质合金-基体，建议磁性饱和极化强度为最大磁性饱和极...
本发明是一种制备结晶氮化碳薄膜的方法及装置。其方法是：在氮气氛下，用脉冲电弧放电方式，将溶液在常压和脉冲电压2～30kV下，诱导电极产生脉冲电弧放电，使溶液电离成含碳、氮的等高于体，冲向并沉积在基板上，制得结晶氮化碳薄膜：该装置设有脉冲电弧放电的机构及高压和电弧产生电路：该机构包括基板和与之相连的电加热器，基板、电加热器...
一种仿生结构陶瓷复合粉体的制备方法，属于陶瓷材料领域。本发明首先确定仿生结构陶瓷复合粉体的结构和材料，然后将制备仿生结构陶瓷粉体心部材料回聚粉体经过热处理工艺处理，再将心部材料和外包覆材料进行混合，通过球磨进行机械化学表面改性，实现陶瓷复合粉体的仿生海葵结构，最后将通过球磨制备粉体通过等离子体球形化及数分化处理，完成...
一种两面金属化绝缘膜的制造方法，在绝缘膜的两面真空蒸镀上锌或锌与铝的混合物，在卷绕制品卷的工艺中，向所述绝缘膜卷绕的内面一侧蒸镀膜上吹送氧化性气体。还有，在蒸镀工艺中，在至少一面上形成油性被膜的同时，把至少一面蒸镀膜暴露在含氧气的气氛中或在卷绕成制品卷的工艺中向至少一面的蒸镀膜吹送含氧气体以形成氧化膜。
一种半导体元件，在衬底上，沉积了包含Mo原子和Ag原子的导电性薄膜构成的栅电极、栅绝缘膜、α—Si：H(i)膜、沟道保护膜、α—Si：H(n)膜、包含Mo原子和Ag原子的导电性薄膜构成的源·漏电极、源·漏绝缘膜以及驱动电极。使用包含Mo原子和Ag原子的导电性薄膜，形成栅电极和源·漏电极并制造半导体元件。由此，可以提供与基材和绝缘层等的粘结强度大...
本发明提供了可以抑制在转化炉内煤的产生．稳定产生适于作为渗碳用气氛气的含有高浓度一氧化碳的转化气的渗碳用气氛气发生装置和方法。作为转化炉，串联连接设置第一转化炉和第二转化炉，在第一转化炉和第二转化炉之间的管线上，设置作为除去从第一转化炉引出、引入到第二转化炉的中间转化气中水分的水分除去装置的第一冷却器，同时设置在该中...
一种用来连续地热浸涂金属带的熔化金属保持装置包括：容器，该容器的横截面基本上是具有长侧和短侧的矩形，该容器在底表面上形成槽形开口，该容器装有熔化金属；辅助容器，它沿着容器上端的外圆周形成，并且用来暂时储存从容器上端溢出的熔化金属；一些室，它们沿着容器下端的长侧而向外地形成．这些室通过槽分支开口与容器连通，这些分支开口...
本发明涉及对碳纤维表面涂复碳化硅表面层的方法和专用装置。该专置即为改进了3射频聚焦式加热器：利用聚焦电磁场将纤维加热至1100℃～1300℃，并在石英管或反应器中制造一个氯硅烷和高纯氢气的反应环境，使氯硅烷裂解生成氯化氢的同时将碳化硅气相沉积在碳纤维表面，
在处理容器的内部，设有装载台，用来装载半导体晶片(W)。微波发生器产生微波，通过平面天线部件导入到处理容器内。平面天线部件具有沿若干圆周排列的若干贯通孔，
一种连明导电薄膜用靶，其具有氧化铟作为其主要组分并含有钨和／或钼，其中通过使氧化铟粉末和氧化钨粉末和／或氧化钼粉末成形．然后加热并烧结该成形体，使得溅射后的薄膜具有氧化铟作为主要组分，并含有原子比(W+Mo)／In为0．0040-00470的钨和／或钼而获得所述透明导电薄膜用靶，
利用等离子喷涂方法制备了NiAl-Al2O3梯度陶瓷涂层,并对涂层的组织分布、结合强度、显微硬度和抗热震性进行了试验研究.结果表明:梯度涂层的组织表现出宏观的不均匀性和微观的连续性的分布特征;NiAl金属间化合物过渡层的引入可有效地改善涂层的质量;在Al2O3质量分数为80%附近涂层的显微硬度最高;涂层成分的梯度化有利于涂层的结合强度和抗热震性...
用硬脂酸对微波吸收剂微纳米金属镍表面进行有机改性,对包覆样品进行了红外漫反射表征、包覆含量测定、分散性、润湿性以及耐酸性等结构与性能研究.结果表明:包覆样品的疏水性和耐酸性明显优于未包覆的镍粉,适量的硬脂酸包覆超微镍粉后可以大大提高镍粉的分散性.
用5kW CO2激光器在16Mn钢表面激光熔覆铜基+钴基混合合金粉末、铜基+铁基混合合金粉末.观察了熔覆层的显微组织,研究了粉末配比、熔覆道次和激光功率等参数对熔覆层组织结构的影响.结果表明,一般情况下,铜基合金与其他合金粉末混合得到的熔覆层组织呈现两种完全不相容的组织形态,只有在适当的工艺参数下可以获得一定相容性的复合涂层.
复合材料一般由多种成分组合而成,温度的升高会引起各组分的膨胀,如果各组分的膨胀系数不一样,会引起复合材料的热应力疲劳.对PAP-D型铝塑复合材料进行了热老化试验,分析了温度对复合材料性能的影响.并以试验所得数据为基础对该材料在正常条件下的使用寿命进行评估,其寿命大于30年.
采用三因素三水平正交实验设计法针对喷涂电流、主气(Ar)流量和次气(He)流量三个重要工艺参数安排实验方案,采用大气等离子喷涂方法制备纳米氧化锆涂层试样,通过扫描电镜观察并分析了喷涂工艺对涂层组织结构的影响,结果表明,涂层组织结构主要由两部分组成,即常规柱状组织和纳米状等轴组织,且等轴组织处于柱状组织的包围之中;随喷涂工艺不同,两部...
利用电子束蒸发镀技术在铜表面沉积铬层,并对制备的工艺,涂层的性能行了初步研究.结果显示,采用低电压(6kV)和低束流(50mA、60mA))蒸镀时,沉积速度适中,所得的膜层呈银白色且光亮,内应力较小,无开裂现象,镀层厚度均匀,硬度较高,且与基体结合良好.适当控制电子枪的工艺参数和烘烤时间可以增加薄膜与基体的结合力.
Ti-Ni形状记忆合金是目前唯一用作生物医学材料的形状记忆合金.它的主要缺点是不具有生物活性,会对机体造成不利影响.DLC膜以其优异的生物相容性、抗腐蚀性及化学稳定性倍受关注.利用脉冲真空电弧离子镀技术镀制DLC膜改善Ti-Ni合金的表面性能.对DLC膜的表面形貌、显微硬度、摩擦系数、耐磨性能及耐腐蚀性能进行了测试.结果表明:用脉冲真空电弧离...
氢化锆因具备诸多作为反应堆中子慢化材料的优点,有着良好的应用前景.在空间堆中,慢化剂的工作温度范围为650～750℃,而在此温度下,H/Zr原子比大于1.8的氢化锆中的氢很容易析出.利用ZrH2和CO2、P反应在氢化锆表面制备氢渗透阻挡层,并借助SEM、XPS和XRD对膜层进行截面形貌观察和物相分析.XRD分析表明氢化锆表面生成了baddeleyite 结构的氧化锆.XP...
采用SEM、XRD等方法研究了AZ31B镁合金微等离子体氧化陶瓷膜的形貌特征和相组成.结果表明:直流脉冲电源条件下取得的陶瓷膜比交流脉冲电源条件下取得的陶瓷膜更致密,因而具有更佳的耐腐蚀性;XRD图谱显示陶瓷膜主要由MgSiO3和MgO相组成.在直流脉冲电源情况下,对比了不同电流密度对陶瓷层耐腐蚀性能的影响,得到电流密度为2A/dm2时膜层具有最佳耐腐...
研究了硬质合金表面Ni-P/纳米Ti(C,N)化学复合镀工艺以及热处理对复合镀层性能影响的规律.结果表明:1) 施镀工艺中各因素对镀速影响的显著性顺序是:温度→pH值→纳米Ti(C,N)加入量→χ(Ni2+/H2PO2-);2) 较好的施镀工艺为:28g/L氯化镍、25.76g/L次亚磷酸钠,50g/L氯化铵、45g/L柠檬酸钠,0.001g/L PbCl2,6g/L纳米Ti(C,N),pH＝10,温度为80℃.3) Ni-P/...
化学反应气相传输涂层是一种表面涂层新技术,用这种方法制备出了致密的FeCrAlTi高温抗氧化涂层,对涂层的性能进行了初步测试.结果表明涂层与基体之间有良好的结合力和较好的抗氧化能力.
斑铜是云南省特有的民间传统工艺品,对斑铜生产工艺中的有关表面处理的关键步骤作了论述,重点介绍了斑铜显斑着色液的配方及其工艺参数,并用金属学原理分析了斑纹的形成机理.
研制了一种用于铅黄铜零部件表面除铅溶液,并开发了与之相关的黄铜零件表面除铅工艺.X射线能谱分析证明,经表面除铅处理后的黄铜零件表面的含铅量,低于标准规定值.
为了研究印刷线路板(PCB)精细蚀刻,并初步确定蚀刻的工艺.采用静态蚀刻的方法,通过研究印刷线路板铜箔在酸性CuCl2溶液中影响蚀刻速度的几个因素,得出了蚀刻速度随蚀刻时间的变化规律,并给出了初步的解释;同时得到了蚀刻液中几种不同氯化物添加剂对蚀刻速度的影响,结果表明阴离子不是影响蚀刻速度的唯一因素,阳离子也有一定的影响.
相关范文
表面化学论文
购物车(0)