摘要：Sb_2O_3作为间接带隙半导体功能材料,在众多领域表现出卓越的性能。晶型和形貌的差异,会影响Sb_2O_3微纳米材料的性能及应用。本文基于负离子配位多面体生长基元模型,分析了Sb_2O_3两种晶型的结构特点,综述了不同晶型和形貌Sb_2O_3微纳米材料的制备方法,详细探讨了制备过程中温度、溶剂等条件对材料晶型、形貌及尺寸的影响,概述了不同形貌Sb_2O_3微纳米材料的晶体生长机理,并对其发展前景进行了展望。

关键词：sb2o3 晶型 制备方法 生长机理 

单位：东北电力大学化学工程学院 吉林吉林132012