摘要：本文采用系综Monte Carlo方法模拟了窄禁带n-InAs和宽禁带n-GaAs的THz时域波形,从理论上证实了n-InAs的THz辐射机制是光丹培场的作用.通过定量给出表面电场和光丹培场在半导体中的空间分布,我们发现导致n-InAs的THz辐射效率比n-GaAs高的一个重要原因是：在被大多数光生载流子占居的非耗尽层区域,n-InAs的电场比n-GaAs的大得多.而以前的研究工作都没有认识到这一点.

关键词：thz辐射 montecarlo模拟 

单位：广东工业大学信息工程学院电子信息系; 广东广州510006