摘要：为了消除光栅光调制器阵列的交叉效应，提出利用post—CMOS工艺将光栅光调制器与CMOS驱动单片集成．介绍了单片集成器件的工作原理，详细分析了单片集成器件的关键参数．通过分析表明，在满足调制器响应频率条件下，通过改变悬臂梁的各个参数可以减小调制器的弹性系数，从而降低光栅光调制器的工作电压；在满足开关速度的条件下，较大存储电容具有更好的电压保持特性．利用中芯国际提供的0．18μm工艺设计包完成该单片集成器件的物理版图设计和仿真．最后，通过实验测得该器件的上升沿和下降沿时间分别为：36．8ns和36．4ns，且经过16．73ms的保持时间后压降为2．1V．实验结果与仿真结果具有较好的一致性，结果表明：加工的单片集成器件具有较快的开关速度和较好的电压保持特性，能够满足设计要求．

关键词：微机电系统 光栅光调制器 cmos驱动电路 单片集成 

单位：重庆大学新型纳米器件与系统技术国家重点学科实验室; 重庆400044; 重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室; 重庆400044