摘要：砷化镓模数转换器（ADC）具有良好的电性能和耐辐照能力,广泛应用于各种领域,尤其是航空航天领域.电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,在前期对电路进行辐照试验基础上,针对电路设计和工艺制造进行大规模集成电路的抗辐射研究,改进电路的设计和工艺制造技术,提高电路的抗辐射能力.本文主要对该电路的设计、工艺研究和γ总剂量辐照试验进行描述,试验结果表明该模数转换器能够抗100K rad（Si）总剂量的辐照.

关键词：砷化镓 模数转换 抗辐射 总剂量 

单位：专用集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第十三研究所; 河北石家庄050051; 中国国防科技信息中心; 北京100036