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CMOS图像传感器的硬复位电路研究

晋孝峰; 岳素格; 刘丽艳; 陈淼; 赵岳; 王春芳 电子学报 2014年第01期

摘要:像素复位电路是CMOS图像传感器的重要组成部分,其特性直接影响着图像的质量.本文对CMOSAPS图像传感器的动态范围、抗饱和能力、图像滞后以及非线性等性能进行了分析,并讨论了通过复位电路改善CMOS图像传感器性能的方法.在本文中,设计了两种带有抗饱和电路的硬复位电路,一种是采用传统的交叉耦合结构实现电压转换,另一种是基于改进的锁存器结构并增加阈值补偿管来实现,两种方案各具特点,分别适用不同的应用要求.仿真结果表明,两种电路方案均能够使动态范围提高2—3dB,增强像素抗饱和能力,同时消除了图像滞后与弱光下的非线性.

关键词:cmos图像传感器硬复位电路动态范围抗饱和图像滞后

单位:北京微电子技术研究所; 北京100076

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