摘要：通过对碳纳米管场效应晶体管（Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET）和物理不可克隆函（Physical Unclonable Functions,PUF）电路的研究,提出一种高性能三值SRAM-PUF电路结构.该电路结构首先利用交叉耦合三值反相器产生随机电流,并对其电流进行失配分析;然后结合三值SRAM单元的电流竞争得到随机的、不可克隆的三值输出信号“0”、“1”和“2”.在32nm CNFET标准模型库下,采用HSPICE对所设计的三值SRAM-PUF电路进行Monte Carlo仿真,分析其随机性、唯一性等性能.模拟结果表明所设计的三值SRAM-PUF电路归一化随机性偏差和唯一性偏差均为0.03%,且与传统二值CMOS设计的PUF电路相比工作速度提高33%,激励响应对数量为原来的（1.5）n倍.

关键词：碳纳米管场效应晶体管 三值逻辑 随机性 唯一性 

单位：宁波大学电路与系统研究所; 浙江宁波315211