摘要：功率损耗影响电压源换流器的效率，是实际工程应用中必须关注的一个问题。采用多项式方法拟合绝缘栅双极晶体管IGBT（insulated gate bipolar transisitor）厂商提供的特性曲线，建立多项式损耗模型，给出了适用性强的IGBT模块损耗计算方法。在LabVIEw下编写了损耗计算程序，对两电平电压源换流器在正弦脉宽调制、三次谐波注放脉宽调制和线电压控制的脉宽调制三种调制方式下的损耗进行了分析计算，并分析了功率因数和调制度变化对损耗的影响，为器件参数选择和热设计提供了依据。

关键词：功率损耗 电压源换流器 绝缘栅双极晶体管 脉宽调制 

单位：华北电力大学电力系统保护与动态安全监控教育部重点实验室 保定071003 南方电网技术研究中心 广州510623