摘要：绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)因其开关速度快、工作频率高、控制方便等优点得到广泛应用，但随着电力电子技术的高频、大功率化发展，开关工作时会造成较高损耗和严重的电磁干扰，甚至元件本身也会因过压、过流问题造成损坏。从IGBT的内部结构特点出发，讨论了IGBT工作中上述问题存在的原因，整理了目前国内外常用的一些处理措施，包括软开关技术、吸收电路技术以及研制新的开关元件等。软开关通过控制电压、电流状态，使其在开关过程中保持不变，抑制di／dt，du／dt;吸收电路是吸收开关过程中di／dt，du／dt产生的多余能量，然后反馈至其他地方。而采用新的开关元件集成门极换流晶闸管IGCT(Integrated Gate Commutated Thyristor)，从开关本身出发解决问题是个有潜力的方案。

关键词：igbt 软开关技术 吸收电路 

单位：武汉大学电气工程学院; 湖北武汉430072