摘要：日前瑞萨科技公司宣布开发出LFPAK-I(无损耗封装-倒装型)上表面散热型封装，作为新的功率MOSFET封装形式．它通过使用顶面安装热沉大大提高了散热特性，通过使用上表面散热结构提高了电流能力。作为初始阶段产品．现在正3种服务器DC-DC电源稳压器(VR)功率

关键词：封装形式 功率mosfet 无损 散热结构 热沉 

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