摘要：日本经济新闻引述Semiconductor Reporter报导指出，期盼已久的铁电RAM(Ferroelectric Random Access Memory；FRAM)终于又有令人振奋的消息，自从富士通微电子美国分公司(Fujitsu Microelectronics America)日前推出两款IMb FRAM芯片，并声称该公司的1Mb FRAM芯片已达到量产阶段以来，在FRAM领域耕耘已7年之久的通讯芯片大厂TI亦马上回应指出，预计推出0．13微米工艺4Mb嵌入式FRAM(embedded FRAM；eFRAM)。

关键词：fram 富士通 芯片 ti 嵌入式 

单位：