首页 > 期刊 > 电子测试 > 同时降低MOSFET和PCB温度底侧冷却技术一举两得 【正文】
摘要:在现代的大多数功率半导体应用中,需要小心处理应用中出现的散热问题。在此类应用中,通常用作电源开关的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是主要的热源。散热,又往往是降低IC可靠性,导致系统不稳定的罪魁祸首。本文将从典型工业电机驱动器所使用的功率MOSFET装置的角度,考虑如何解决其散热管理问题。
关键词:功率mosfet 金属氧化物半导体场效应晶体管 冷却技术 pcb 温度
单位:飞利浦半导体
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