摘要：本文介绍了半导体激光器的发展过程和应用领域,以及基本工作原理。对蓝紫色半导体激光器的基本结构和远场特性进行了描叙,给出了远场模场表达式,计算出基于亥姆霍兹方程的严格远场解。根据远场模场表达式和严格远场解,应用CrossLight公司的LASTIP仿真软件,对蓝紫色LD（InGaN）的远场特性进行仿真,得到了蓝紫色LD的V-I特性图、P-I特性图、能带图、发散角图及远场特性图,并对结果进行了分析,最后得出了结论,对蓝紫色LD的实际应用有及其重要的指导作用和现实依据。

关键词：半导体激光器 蓝紫色ld 远场特性 量子阱 

单位：南京邮电大学通信与信息工程学院 江苏南京210003