摘要：InP材料被广泛的应用于光电子领域，但其材料脆、工艺不成熟、成本高，而Si基外延InP材料能良好的改善该技术瓶颈。论文中对不同介质、不同厚度的介质键合制备Si／InP材料进行了分析。其中以SiO2键合制备的Si／InP材料应力转化率最高，且SiO2制备工艺简单、亲水，材料键合强度大，机械特性好，是键合制备Si／InP材料的首选。而且，SiO2键合介质越薄，其应力转化率越高，材料对力学信号就越敏感，制备的Si／InP材料的机械性能越好。

关键词：si基外延inp 应力转化 键合 mems 光电子 

单位：太原工业学院电子工程系 太原030008