摘要：研究了纳米量级的多孔 SiNx 插入层的生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响。测量结果表明：当把SiNx 插入层生长在GaN 粗糙层上，能够得到最好的晶体质量；SiNx 插入层的生长位置对GaN 薄膜的应变大小基本没有影响；然而，插入层的位置改变了薄膜中的本征载流子浓度。

关键词：外延 氮化镓 位错 氮化硅掩膜 

单位：厦门理工学院 厦门361023