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1064nm DBR半导体激光器结构的研究

王皓 电子测试 2017年第02期

摘要:本论文主要在DBR光栅结构的设计和制备工艺方面开展了系统地研究工作,采用MOCVD系统对1064nm半导体激光器外延结构进行生长,通过湿法腐蚀工艺制备出了3.5μm宽的脊形波导。在DBR光栅制备过程中,采用325nm全息曝光系统对脊形波导进行全息光刻,并利用ICP干法刻蚀,制备出光栅的周期结构。

关键词:半导体激光器布拉格反射器布拉格光栅激光器波导

单位:长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 吉林长春130022

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