摘要：本文研究了三种降低非晶硅材料应力的手段:优化工艺参数。通过N2退火,将非晶硅的压应力变为张应力。通过额外的掺杂硼来改变非晶硅的应力。最初加入硼掺杂后应力会发生突变,但随着同步掺杂的浓度增加,最终的应力变化会趋向缓和。通过综合利用以上三个手段,最终的实际结果达到了预定的低应力目标。

关键词：低应力 非晶硅 微机械 半导体制造 

单位：上海华虹宏力半导体制造有限公司