摘要：本文设计了一款基于0.25 um氮化镓PHEMT工艺的8.5-10.5GHz MMIC收发前端芯片,该收发前端由一个功率放大器和一个单刀双掷开关组成。经仿真优化后,在工艺线上进行了流片,并载片测试了其性能参数。测试结果显示,发射路的功率放大器饱和输出功率大于33d Bm,功率附加效率39%。接收路开关插入损耗0.6d B,开关隔离度大于37d B。

关键词：前端芯片 测试 

单位：中国电子科技集团公司第十三研究所