摘要：等离子体浸没离子注入(Plasma-immersion-ion-implantation,简称PIII)已被广泛应用于金属、半导体以及绝缘介质材料改性等领域。通过一维流体力学模型,利用C语言实现编程,对一维平面介质靶鞘层特性进行了数值模拟,得到了鞘层的演化规律,模拟的结果可以为优化实际的工艺参数提供参考。

关键词：等离子体浸没离子注入 冷流体力学模型 鞘层 数值模拟 

单位：重庆公共运输职业学院