摘要：本文研究了批处理式离子注入机工艺过程中的电荷交换效应,该效应使得注入杂质浓度偏离设定值并且面内分布变差;为防控此种不良模式,可以通过收紧腔室端真空容限范围,但更为有效的方式是在注入中采用真空补偿,实验数据证明,采用优化的真空补偿系数可以在带光阻的硅片上获得更具良好重复性的掺杂浓度和更加均匀的面内分布。

关键词：离子注入 掺杂 电荷交换 半导体制造 

单位：上海华虹宏力半导体制造有限公司