摘要：根据量子限域电子溢出理论及极化场引起的能带弯曲理论,我们采用不同工艺的EBL层结构,通过控制Al组分分布,在不影响P-GaN层空穴的注入的情况下,提升电子限制能力,提升芯片的发光效率。

关键词：电子溢出 ebl层 电子限制能力 能带弯曲 al组分渐变 

单位：西安中为光电科技有限公司; 陕西西安710065