直拉法单晶硅生长的数值模拟和控制参数优化

摘要：采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长直径210 mm的硅单晶热场进行了模拟.后继加热器提高了晶体生长界面中心高度,对熔体温度梯度基本没有影响;热屏能改善晶体生长界面形状,使界面更加平滑,降低界面中心高度,并能降低熔体纵向温度梯度,得到更好的温度分布.

关键词：数值模拟 单层热屏 加强型热屏 后继加热器 

单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所 天津300220