摘要：一般而言，闪存的工作原理是借助将浮动多晶硅（浮动栅）覆盖在栅氧化物上，来保存位于其上的电荷。此时闪存位单元的编程需要一个高电压场，才能将电子的速度提高到足够快，以便电子能够克服硅物质和浮动栅之间的氧化物的能量障碍，使电子能够穿过氧化物，给浮动栅充电，而浮动栅又会改变位单元晶体管的电压阈值。

关键词：cmos工艺 结构集成 mram 标准 磁性 

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