摘要：为研究静电电磁脉冲（ESDEMP）对嵌入式微处理器（MPU）的影响，根据IEC61000—4—2标准，利用静电电磁脉冲电场测试系统对FPGA、CPLD、80C196单片机3种电路进行ESDEMP辐照效应试验，同时实测了耦合板周围电场强度，根据试验结果分析了故障原因。试验发现ESDEMP对MPU系统工作稳定性影响较大，使FPGA、CPLD、80C196单片机集成电路发生死机或重启故障的静电放电电压阈值分别为13、7和10kV；3种微处理器对ESDEMP的敏感度序列为：CPLD〉80C196单片机〉FPGA。ESDEMP对MPU电路危害表现在放电的近场区，容易造成电子器件的击穿，而在远场区，主要是对电子设备造成高频干扰。

关键词：静电放电 电磁脉冲 辐照效应 微处理器 敏感度 

单位：中国人民解放军73906部队52分队; 南京210041; 军械工程学院训练部; 石家庄050003