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800kVGIS隔离开关磁场一温度场计算与分析

宋帆 申春红 林莘 徐建源 马曾锐 南方 高电压技术 2008年第07期

摘要:800kVGIS隔离开关在实际运行中由于电阻损耗发热而温度升高,甚至超过允许温升,从而影响其工作性能,为了保证其工作的安全性和可靠性,建立了三维有限元分析模型对800kVGIS隔离开关的工频磁场进行分析。首先计算出隔离开关上的磁感应强度分布及涡流损耗,然后将涡流损耗值作为体积热源计算800kVGIS隔离开关的温度场,得出各部分具体温升值。结果表明:在环境温度为27.3℃的工作条件下,隔离开关主导体上的温升约为26.3K,外壳温升约为13.3K。计算结果和试验测试数据的对比验证了方法的准确性,进而为产品设计提供参考,为提高GIS隔离开关运行可靠性提供理论依据。

关键词:800kvgis隔离开关有限元法工频磁场涡流

单位:沈阳工业大学 沈阳110023 西安西开高压电气股份有限公司 西安710077

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