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绝缘子直流污闪时Hampton判据的适用性

徐志钮 律方成 李和明 高电压技术 2010年第11期

摘要:直流污闪模型中可用Hampton判据来获得闪络的临界弧长,但该方法在某些情况下存在误差。因此分析了直流情况下基于Obenaus模型的污闪电压预测方法的原理,指出并证明了当不考虑弧根半径的影响时临界弧长仅与泄漏距离L和电弧参数n有关,而与其它因素无关,Hampton判据完全正确,并通过计算进行了验证。考虑弧根半径的影响时根据Hampton判据预测的直流污闪电压存在误差,其值略低于模型实际预测的污闪电压。分析了电弧参数A、n、等值盐密、泄漏距离、平均直径等因素对误差的影响,结果表明:随着A、n、等值盐密、泄漏距离的增加,相对误差减少;随着平均直径的增加,相对误差增大。当不考虑弧根半径的影响时应将L/(1+n)作为临界弧长以减少计算量,当考虑弧根半径的影响时应在0-L范围内搜索临界弧长以获得模型准确的污闪电压。

关键词:绝缘子污闪直流hampton判据obenaus模型

单位:华北电力大学生物质发电成套设备国家工程实验室 保定071003

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