摘要：目前HVDC技术国产化过程中需要掌握的关键技术之一,是建立换流系统的宽频等效电路模型,分析阀塔过电压瞬态过程,而屏蔽罩寄生电容是宽频模型至关重要的参数,直接影响模型的正确性。为此,提出了一种基于间接边界元法的数值计算方法来计算屏蔽罩的寄生电容参数,在这种方法中,只需对导体表面进行剖分,无需离散整个场域,在求得导体表面法向电场强度后,即可得到导体系统的电容矩阵。针对国内某±500kV直流换流站,应用该方法提取了屏蔽罩寄生电容,通过对比计算,研究了不同阀层屏蔽罩对电容参数的影响,确定了计算实际屏蔽罩寄生电容的仿真模型。为换流阀塔等大尺寸复杂金属结构的电容参数计算提供了一种便捷、可行的方法。

关键词：寄生电容 屏蔽罩 边界元法 提取 模型 

单位：华北电力大学高电压与电磁兼容北京市重点实验室 北京102206