摘要：为了研究高压静电场（HVEF）对大肠杆菌（E.coli）的损伤效应,采用不同处理条件的HVEF处理E.coli,考察了菌体的存活率、突变率及形态损伤。结果表明：在不同处理条件下,E.coli存活率和突变率均呈振荡型变化,且2者呈负相关,在4 k V/cm×2 min的处理条件下存活率最低,仅为（7.77±1.73）%,突变率达最高,为（13.73±1.99）×10-6,说明HVEF对菌体的存活具有抑制和激活的双重作用,在抑制作用下,细胞受到的损伤较大且相应的突变率也较高;通过电镜观察,发现HVEF作用下E.coli细胞膜破损并伴随有细胞内容物的溢出,说明高压静电场可有效破坏细胞的膜结构;通过测量HVEF在同一场强不同处理时间作用下菌液的核酸和蛋白质含量变化,发现上述2个参数在电场作用下也呈振荡型变化,说明适当的电场处理条件可调控菌体细胞膜的通透性,且在适当的电场处理条件下E.coli自身可能具有损伤修复功能。

关键词：高压静电场 大肠杆菌 存活率 突变率 电镜 

单位：内蒙古大学物理科学与技术学院; 呼和浩特010021; 内蒙古自治区离子束生物工程重点实验室; 呼和浩特010021; 内蒙古大学生命科学学院; 呼和浩特010021