摘要：提供一种高压变频器中IGCT半导体器件的快熔保护方案,在建立快熔模型基础上,详细分析快熔保护系统在逆变器直通故障下对系统的影响以及保护作用.对比了mathb仿真结果和简化电路.计算结果证明,提出的简化保护计算的有效性,同时说明了这种IGCT保护方法的正确性.

关键词：高压变频器 快熔 igct 保护 

单位：华中科技大学; 湖北; 武汉; 430074