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采用国产Am—Be中子源进行热中子活化的样品照射位置选择

时磊 景桂芬 核电子学与探测技术 2011年第01期

摘要:利用热中子活化样品,合适的照射位置是取得良好活化效果的关键。经过MCNP模拟和实验测量,给出了采用国产Am—Be中子源进行热中子活化的样品照射位置的合理范围。

关键词:活化照射位置mcnp模拟

单位:四川大学物理科学与技术学院 四川成都610064

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核电子学与探测技术

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