摘要：对国产PNP双极晶体管开展同剂量率不同温度条件的辐照试验,研究了不同辐照温度条件下界面陷阱的演化机制。结果显示,低温辐照阶段,界面陷阱生长与辐照温度呈正相关性,温度越高,界面陷阱增长速率越快;中、高温辐照阶段,界面陷阱生长与辐照温度呈负相关性,界面陷阱生长受到抑制。本文结合温度对辐射响应的影响规律,发现氢的钝化和去钝化作用之间的竞争关系是影响界面陷阱浓度的关键因素,且该竞争机制与Si/SiO2界面处氢种类有直接关系。

关键词：低剂量率增强效应 界面陷阱 温度 质子浓度 

单位：新疆大学物理科学与技术学院; 乌鲁木齐830046; 中国科学院新疆理化技术研究所; 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室; 乌鲁木齐830011; 新疆电子信息材料与器件重点实验室; 乌鲁木齐830011; 中国科学院大学; 北京100049