摘要：合成了一种新的有机无机层状类钙钛矿（RNH3）2CuX4半导体薄膜，通过研究发现该薄膜的载流子迁移率的大小与有机组元的选择有关，有机组元的选择决定了产物在（002l）上的择优取向度，而薄膜在（00al）取向性越高，其载流子迁移率越大，该体系目前载流子迁移率达到了0．30cm^2V^-1s^-1，有望应用在场效应晶体管器件中作为通道材料。

关键词：钙钛矿 薄膜 载流子迁移率 

单位：武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室 武汉430070