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由薄层金属表面电子隧穿和逸出功研究金属表面结构

董振铭 科技创新与应用 2020年第05期

摘要:介绍一个通过薄层金属表面电子隧穿和逸出功研究金属表面结构的方法。给薄层金属加一个垂直表面的电场,由于量子隧穿效应,电子可以越过金属的逸出势垒发射出,称为金属电子的冷发射[1]。根据金属电子的冷发射电流可以确定隧穿电子数目,得出隧穿概率和透射系数,由透射系数和逸出势垒的关系,可得金属表面逸出功。由逸出势垒、势垒宽度和金属电子能级的关系可以研究金属的表面结构。

关键词:量子隧穿势垒逸出功冷发射隧穿概率

单位:广州大学物理与电子工程学院; 广东广州510006

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