摘要：影响单晶硅的性能的因素较多,其中包括氧含量及其均匀性,这些因素在硅晶体生长过程中不易控制。本文分析了直拉单晶硅生产过程中,对晶体的质量与氧杂质的引入的关系进行研论,提高晶体的质量的方法多样,包括氩气体积多少或炉内气压大小、热场体积、埚位、晶体旋转速度、坩埚旋转速度等晶体硅形成条件,以及采用相应的磁拉技术来控制晶体中的氧含量及分布均匀性等方法。

关键词：直拉硅 单晶 控氧 

单位：天津市环欧半导体材料技术有限公司; 天津300384