摘要：基于硅的电子元件到处都是，所以硅器件技术现在是发展最快的领域之一。但京都大学实验室的一份报告显示，人们仍能从硅中观测到惊人的基本效应。基于束缚在两个非磁性金属触点之间的轻度掺杂硅的一个简单器件，在室温下具有一个超过1000％的非常大的”磁致电阻”（电阻的产生依赖于磁场）。这个数字可与在某些磁性系统中所发现的“巨大”“磁致电阻”相比，

关键词：硅 磁致电阻 器件技术 大学实验室 电子元件 

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