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GaAlN/GaN量子阱中电子的激发态极化

杨瑞芳; 郭子政 内蒙古师范大学学报·教育科学版 2005年第01期

摘要:考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用,计算了GaN/GaAlN量子阱内电子的激发态极化.结果表明,电子偶极矩改变随Al浓度的增加非线性减小.一般情况下激发态极化产生的电场强度远小于内建电场,可忽略不记,但当n取较大值(1019/cm3以上)时,即材料被重掺杂时,激发态极化产生的电场强度对内建电场的影响不能忽略.

关键词:激发态内建电场量子阱电子极化

单位:内蒙古师范大学物理与电子信息学院; 内蒙古呼和浩特010022

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