摘要：利用射频等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术低温制备了氢化纳米晶硅（nc-Si：H）薄膜．通过优化沉积参数，得到晶粒尺度小于10nm，晶态体积比为58％的nc-Si：H薄膜．对nc-Si：H薄膜的光电特性进行研究．结果表明，在i00mW／cmz的光照下，nc-Si：H薄膜的光电导率为1．5×10^-3Ω^-1·cm^-1，室温暗电导率为8．4×10^-4Ω^-1·cm^-1．光学带隙为1．46eV．利用射频PECVD制备的nc-Si：H薄膜具有明显的量子点特征．

关键词：纳米晶硅薄膜 等离子体增强化学气相沉积 光电特性 

单位：内蒙古师范大学物理与电子信息学院; 内蒙古呼和浩特010022