摘要：利用密度泛函理论和广义梯度近似的超软赝势方法,计算了含有髙组分In的InGaN材料的晶格常数、形成能和能带结构.结果表明：晶格常数随着Ga掺杂浓度的增加而减小;当Ga原子替代掺杂In原子时有最低的形成能,结构最稳定;在替代体系中,随着Ga原子的浓度增加,InGaN材料的带隙值也在增加.计算结果与其他理论计算及实验结果相符.

关键词：ingan材料 形成能 间隙和替代 第一性原理 

单位：内蒙古师范大学物理与电子信息学院 内蒙古呼和浩特010022 北京大学物理学院 北京100871