摘要：TbPdSn化合物为斜方晶系（Pnma）,TiNiSi型晶体结构,低温显示反铁磁性质.采用电弧炉制备了TbPdSn化合物多晶样品,再用提拉法生长成TbPdSn单晶样品,并用背射劳埃法对单晶样品定向.在单晶样品的a^＊-c^＊面和b^＊-c^＊面进行了中子衍射实验,在5K温度点发现,k=（0,-0.26,0.9）处有磁衍射现象.

关键词：tbpdsn 单晶体 中子衍射 磁衍射 晶体结构 

单位：内蒙古师范大学物理与电子信息学院 内蒙古呼和浩特010022 日本鸟取大学地域学部 日本鸟取6808552