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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

IEEE T DEVICE MAT RE

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  • 出版国家或地区:UNITED STATES
  • ISSN:1530-4388
  • ESSN:1558-2574
  • 研究方向:工程技术 - 工程:电子与电气
  • 语言:English
  • 创刊时间:2001
  • 期刊收录:SCIE、SCI
  • 出版周期:Quarterly
期刊简介 分区信息 Cite Score 期刊建议 期刊指数

期刊简介

The scope of the publication includes, but is not limited to Reliability of: Devices, Materials, Processes, Interfaces, Integrated Microsystems (including MEMS & Sensors), Transistors, Technology (CMOS, BiCMOS, etc.), Integrated Circuits (IC, SSI, MSI, LSI, ULSI, ELSI, etc.), Thin Film Transistor Applications. The measurement and understanding of the reliability of such entities at each phase, from the concept stage through research and development and into manufacturing scale-up, provides the overall database on the reliability of the devices, materials, processes, package and other necessities for the successful introduction of a product to market. This reliability database is the foundation for a quality product, which meets customer expectation. A product so developed has high reliability. High quality will be achieved because product weaknesses will have been found (root cause analysis) and designed out of the final product. This process of ever increasing reliability and quality will result in a superior product. In the end, reliability and quality are not one thing; but in a sense everything, which can be or has to be done to guarantee that the product successfully performs in the field under customer conditions. Our goal is to capture these advances. An additional objective is to focus cross fertilized communication in the state of the art of reliability of electronic materials and devices and provide fundamental understanding of basic phenomena that affect reliability. In addition, the publication is a forum for interdisciplinary studies on reliability. An overall goal is to provide leading edge/state of the art information, which is critically relevant to the creation of reliable products.

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》是一本由IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC出版商出版的专业工程技术期刊,该刊创刊于2001年,刊期Quarterly,该刊已被国际权威数据库SCIE、SCI收录。在中科院最新升级版分区表中,该刊分区信息为大类学科:工程技术3区,小类学科:工程:电子与电气 3区;物理:应用 3区;在JCR(Journal Citation Reports)分区等级为Q3。该刊发文范围涵盖工程电子与电气等领域,旨在及时、准确、全面地报道国内外工程电子与电气工作者在该领域取得的最新研究成果、工作进展及学术动态、技术革新等,促进学术交流,鼓励学术创新。2022年影响因子为2,平均审稿速度较慢,6-12周。

分区信息

中科院分区旧的升级版(当前数据版本:2020年12月旧的升级版)

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 3区 4区

名词释义:中科院分区是中国科学院国家科学图书馆制定,中科院分区目前分为基础版和升级版(试行),基础版先将JCR中所有期刊分为13大类学科,每个学科分类按照期刊的3年平均影响因子高低,分为4四个区;升级版将期刊分为18个大类学科,涵盖数学、物理与天体物理、化学、材料科学、地球科学等大类学科;升级版设计了“期刊超越指数”取代影响因子指标。期刊超越指数即本刊论文的被引频次高于相同主题、相同文献类型的其它期刊的概率。

JCR分区(当前数据版本:2021-2022年最新版)

JCR分区等级 JCR所属学科 分区 影响因子
Q3 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC Q3 1.407
PHYSICS, APPLIED Q3

名词释义:JCR(Journal Citation Reports)由科睿唯安公司(前身为汤森路透)开发,JCR分区将期刊分为176个学科。该排名根据当年不同学科的影响因子,分为Q1、Q2、Q3、Q4四个区域。 Q1代表不同学科进行分类可以影响细胞因子前25%的期刊,以此作为类推,Q2是前25%-50%的期刊,Q3是前50%-75%的期刊,Q4是后期75%的期刊。

Cite Score 数值(当前数据版本:2021-2022年最新版)

Cite Score 排名

CiteScore SJR SNIP 学科类别 分区 排名 百分位
4.30 0.401 1.077 大类:Engineering 小类:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 61 / 192

68%

大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 278 / 738

62%

大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 115 / 271

57%

名词释义:CiteScore 是在 Scopus 中衡量期刊影响力的另一个指标,其作用是测量期刊的篇均影响力。当年CiteScore 的计算依据是期刊最近4年 (含计算年度) 的被引次数除以该期刊近四年发表的文献数,文献类型包括:文章、评论、会议论文、书籍章节和数据论文,社论勘误表、信件、说明和简短调查等非同行评议的文献类型均不包含在内。

期刊建议

1、Ieee Transactions On Device And Materials Reliability期刊该细分领域中属于中等级别的SCI期刊,在国际上比较受认可,过审相对不是特别难, 值得关注的一本刊物。研究方向为工程技术 - 工程:电子与电气,建议您投递与此行业相关的稿件,以兔被拒稿耽误您的时间。建议稿件控制10页以上,4600单词字数以上(未翻译中文字数8600字数以上);文章撰写语言为英语;(单栏格式,单倍行距,内容10号字体,文章内容包含:题目,所有作者姓名、最高学位,作者单位(精确到部门),通信作者邮箱,摘要,关键词,内容,总结,项目基金,参考文献,所有作者相片+简介)。

2、该期刊近年没有被列入国际期刊预警名单(2021年12月发布的2021版),广大学者可以放心选择。鼓励提交以前未发表的文章,禁止一稿多投;拒绝抄袭、机械性的稿件;平均审稿速度较慢,6-12周。

3、稿件重复率控制10%以内,论文务必保证原创性、图标、公式、引文等要素齐备,已发表或引用过度的文章将不会被出版和检索。

4、稿件必须有较好的英语表达水平,有图,有表,有公式,有数据或设计,有算法(方案,模型),实验,仿真等。

5、参考文献控制25条以上,参考文献引用一半以上控制在近5年以内;图表分辨率必须达到300dpi;参考文献与文献综述能反映国际研究前沿。

6、若您想联系Ieee Transactions On Device And Materials Reliability出版商,请根据该地址联系:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

7、如果你想快速在SCI期刊发表,可以咨询本站的客服老师,我们将为你提供SCI期刊全过程管理服务,不成功不收取任何费用。

期刊指数

影响因子 h-index Gold OA文章占比 研究类文章占比 OA开放访问 平均审稿速度
1.407 63 5.70% 98.21% 未开放 较慢,6-12周

IF值(影响因子)趋势图

中科院JCR分区趋势图

引文指标和发文量趋势图

自引数据趋势图

名词释义:影响因子 简称IF,是汤森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引证报告(Journal Citation Reports,JCR)中的一项数据。 即某期刊前两年发表的论文在该报告年份(JCR year)中被引用总次数除以该期刊在这两年内发表的论文总数。这是一个国际上通行的期刊评价指标,是衡量学术期刊影响力的一个重要指标。

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