摘要：目前，麻省理工学院（MIT）的研究员将在著名的国际固态电路会议（ISSCC）上展示一款采用德州仪器（TI）先进65纳米CMOS工艺制造的超低功耗（ULP）256kb静态随机存取存储器（SRAM）测试器件。该款SRAM专为要求高性能、低功耗的电池供电设备开发而成，能够提供业界最低的电压，而且设计人员正在考虑均该产品采用TI的SmartReflex？电源管理技术来延长移动产品的电池使用寿命。

关键词：sram 低电压 纳米 静态随机存取存储器 麻省理工学院 

单位：《通信世界》