摘要：近期，英特尔公司与恒忆公布了一项突破性的相变存储器（PCM）研究成果，这种新的非易失性存储器技术结合了目前各种存储器的优势。研究人员首次展示了能够在单个硅片上堆叠或放置多个PCM阵列层的64Mb测试芯片。这些研究成果为制造更高容量、更低能耗的存储器设备铺平了道路，能够为随机存取非易失性存储器和存储应用降低所占用的空间。

关键词：相变存储器 英特尔公司 突破性 技术 非易失性存储器 

单位：《通信世界》编辑部