摘要：借助RF-PECVD辅助RTP技术，采用高沉积气压的技术路线制备了优质的微晶硅薄膜。并利用拉曼光谱、反射谱和透射谱分别研究了微晶硅的晶化率和光学性质．实验中发现微晶硅的吸收边出现了相对红移，此相对红移可归结于薄膜晶化率的提高和带尾态密度的降低，

关键词：微晶硅 拉曼光谱 快速热处理 红移 

单位：郑州大学教育部材料物理重点实验室; 郑州450052