摘要：利用VUV同步辐射光源和反射式飞行时间质谱仪，在超声冷却条件下对四氯乙烯（C2Cl4）进行了光电离研究，通过测量各离子的光电离效率（PIE）曲线，得到了C2Cl4的电离势IP（C2Cl4）=（9．36±0．05）eV及C2Cl4光解离碎片离子C2Cl3^＋，C2Cl2^＋，CCl2^＋和CCl^＋的出现势，根据实验和理论计算的结果，分析了可能的解离通道，并结合相关文献所给的热力学数据，推导出这些离子生成焙及母体离子的解离能．实验获得了118．0nm同步辐射光电离下C2Cl4的质谱图，这为以后采用该波长的激光实现C2Cl4的快速探测提供了实验数据．

关键词：真空紫外光电离 离子出现势 电离势 四氯乙烯 

单位：中国科学院合肥物质科学研究院安徽光学精密机械研究所环境光谱学研究室; 合肥230031; 中国科学技术大学国家同步辐射实验室; 合肥230029