摘要：提出了一种新型的测试结构,对面积为微米量级下键合的最大抗扭强度进行了测试.实验设计一系列的单晶硅悬臂梁结构测试键合面积在微米量级时的最大剪切力,键合面为常用的矩形其边长从6μm到120μm,并根据实际移动距离计算得出的最大剪切力.并实验实际得出最大剪切扭矩和相应的键合面积的曲线,以及最大扭转剪切破坏应力与悬臂梁加载距离的关系,并针对60μm×60μm的矩形键合结构进行了加载和位移的重复性实验测量,两次测量结果符合较好.微电子机械系统（microelectromechanical system,MEMS）器件的设计人员可以根据结论曲线,针对所需的抗扭强度设计相应的键合面积,为MEMS器件工艺的在线定量测试与设计提供参考.

关键词：阳极键合 硅深刻蚀 键合强度 最大抗扭强度 

单位：北京大学微电子学研究院; 北京; 100871; 中国科学院力学研究所非线性力学国家重点实验室; 北京; 100080