摘要：采用直流电弧等离子喷射（DC arc plasma jet）CVD（chemical vapour deposition）工艺制成的金刚石薄膜,研制成功MSM（metal-semiconductor-metal）型CVD金刚石脉冲辐射探测器.对制作的金刚石薄膜材料及探测器有关性能进行了测量,结果表明,采用Raman shift＜4.5cm^-1的金刚石薄膜制成的探测器,可满足亚纳秒脉冲辐射探测的要求.由于其独特的物理性能,在制作成本合理的情况下,在脉冲辐射测量中可取代Si-PIN探测器.

关键词：cvd 金刚石薄膜 辐射探测器 

单位：清华大学工程物理系; 北京; 100084; 西北核技术研究所; 西安; 710024; 北京科技大学功能材料研究所; 100092