摘要：研究了脉冲激光激发下半导体量子点激子Rabi振荡中多能级过程引起的退相干特性.运用多能级粒子数运动方程组,分别计算和分析了三种多能级过程（双激子、浸润层泄漏以及俄歇俘获过程）对量子点中Rab振荡衰减的影响.分析表明,双激子的影响在激发脉冲的脉宽较长时（＞5ps）可以忽略;浸润层的泄漏虽然使得激子基态上粒子数振荡的振幅随着激发场的增强而减小,但是同时也导致了振荡平均值的减小;分析和讨论了两种俄歇俘获方式对激子振荡和复合发光的影响.

关键词：rabi振荡 半导体量子点 退相干 俄歇俘获 

单位：武汉大学物理系; 武汉; 430072; 中国科学院物理研究所; 国际量子结构中心; 北京; 100080