摘要：应用含时密度泛函理论研究了SiN团簇低能激发态的性质．将计算结果与前人已有的计算结果进行了比较，此外还根据计算得到的低能激发能对SiN^-阴离子的光电子能谱进行了理论指认．研究表明，SiN^-阴离子的基态为1^∑态，而光电子能谱上的X峰和A峰分别对应于1^∑→2^∑和1^∑→2^Ⅱ的跃迁．研究结果还表明，用含时密度泛函的方法来处理激发态的问题是成功的．

关键词：团簇 光电子能谱 基态 激发态 

单位：南京理工大学应用物理系; 南京210094; 中国科技大学选键化学实验室; 合肥230026