摘要：对量子点超晶格材料中量子点纵向周期和同层量子点的横向周期间距对量子点及其周围应变场分布的影响进行了系统的研究．结果表明，横向和纵向周期通过衬底材料之间的长程相互作用对量子点沿中心轴路径应变分布的影响效果正好相反，在适当条件下，两者对量子点应变场分布的影响可以部分抵消．同时也论证了在单层量子点和超晶格量子点材料中，计算量子点的电子结构时，应综合考虑量子点空间周期分布对载流子限制势的影响，不能简单的利用孤立量子点模型来代替．

关键词：应变 半导体量子点 自组织 

单位：北京邮电大学理学院; 北京100876; 北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室; 北京100876; 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室; 北京100083